[实用新型]一种填充6

权利要求书

1.一种填充⁶LiF/¹⁰B₄C混合物的半绝缘GaAs圆孔阵列中子探测器，包括半绝缘GaAs衬底，其特征在于，所述半绝缘GaAs衬底正面利用PECVD工艺沉积有Si₃N₄钝化层，所述沉积有Si₃N₄钝化层的半绝缘GaAs衬底上利用光刻工艺和刻蚀工艺刻蚀有圆孔阵列，所述圆孔阵列内填充有⁶LiF和¹⁰B₄C组成的混合物中子转换材料；同时在半绝缘GaAs衬底正面刻蚀掉部分Si₃N₄钝化层以作为正面肖特基区域，并利用电子束和热蒸发工艺在正面肖特基区域依次沉积Ti/Pt/Au以形成正面肖特基金属电极，在半绝缘GaAs衬底背面利用磁控溅射和热蒸发工艺依次沉积Mg/Au以形成背面欧姆金属电极，且中子从正面肖特基金属电极入射。

2.根据权利要求1所述的一种填充⁶LiF/¹⁰B₄C混合物的半绝缘GaAs圆孔阵列中子探测器，其特征在于，所述半绝缘GaAs衬底的电子迁移率大于4000cm²/v.s，且半绝缘GaAs衬底电阻率＞1E8Ω·cm，衬底厚度为200～300μm，晶向100。

3.根据权利要求1所述的一种填充⁶LiF/¹⁰B₄C混合物的半绝缘GaAs圆孔阵列中子探测器，其特征在于，所述Si₃N₄钝化层厚度为400～800nm。

4.根据权利要求1所述的一种填充⁶LiF/¹⁰B₄C混合物的半绝缘GaAs圆孔阵列中子探测器，其特征在于，所述圆孔阵列为n×n结构，且每个圆孔的孔径为15～25μm，孔深为10～30μm，相邻孔壁间距为15～25μm。

5.根据权利要求1所述的一种填充⁶LiF/¹⁰B₄C混合物的半绝缘GaAs圆孔阵列中子探测器，其特征在于，所述正面肖特基金属电极中Ti厚度为20～40nm，Pt厚度为10～30nm，Au厚度为70～90nm。

6.根据权利要求1所述的一种填充⁶LiF/¹⁰B₄C混合物的半绝缘GaAs圆孔阵列中子探测器，其特征在于，所述背面欧姆金属电极中Mg厚度为40～60nm，Au厚度为80～120nm。

7. 根据权利要求1所述的一种填充⁶LiF/¹⁰B₄C混合物的半绝缘GaAs圆孔阵列中子探测器，其特征在于，所述⁶LiF和¹⁰B₄C组成的混合物中子转换材料中⁶LiF颗粒尺寸为1～2μm，^{10B₄C颗粒尺寸为100～300nm。}