[实用新型]一种忆阻器状态写入电路有效
| 申请号： | 202120961779.9 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN214624440U | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 吴建锋;赵文静;周明娟;蒋燕君;尉理哲;阮越;徐振宇;叶芳芳;江俊;许森;王金铭;吕何新;王章权 | 申请（专利权）人： | 浙江树人学院(浙江树人大学) |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 杭州昱呈专利代理事务所(普通合伙) 33303 | 代理人： | 雷仕荣 |
| 地址： | 312028 浙江省绍*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种忆阻器状态写入电路，该写入电路并接在忆阻器两端，其在忆阻器两端产生正向电压或反向电压使忆阻器处于高阻态或低阻态；所述写入电路采用MOS逻辑电路实现。与现有技术相比，本实用新型的技术方案通过MOS逻辑电路实现忆阻器状态的写入，大大简化了电路结构；同时，该写入电路还能够实现异或逻辑功能，大大丰富了实际电路功能，提升了实际电路设计的灵活性和可扩展性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻器 状态 写入 电路 | ||
【主权项】：
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