[实用新型]一种忆阻器状态写入电路

权利要求书

1.一种忆阻器状态写入电路，其特征在于，该写入电路并接在忆阻器两端，其在忆阻器两端产生正向电压或反向电压使忆阻器处于高阻态或低阻态；

所述写入电路采用MOS逻辑电路实现，至少包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4和第五MOS管M5，其中，第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3为NMOS晶体管，第四MOS管M4、第五MOS管M5为PMOS晶体管，第一MOS管M1的栅极与第二MOS管M2的栅极以及第四MOS管M4的栅极相连接作为第一控制端，第一MOS管M1的漏极与第二MOS管M2的漏极以及第四MOS管M4的漏极相连接；第一MOS管M1的源极与第三MOS管M3的漏极以及第五MOS管M5的漏极相连接；第三MOS管M3的栅极与第五MOS管M5的栅极以及忆阻器的一端相连接作为第二控制端，第二MOS管M2的源极与忆阻器的另一端相连接；第四MOS管M4的源极和第五MOS管M5的源极与电源端相连接，第三MOS管M3的源极接地。

2.根据权利要求1所述的忆阻器状态写入电路，其特征在于，当第一控制端为高电平时，根据第二控制端的电平状态执行忆阻器高阻态或低阻态的写入。