[实用新型]碳化硅单晶生长装置有效
| 申请号： | 202120795447.8 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN215163307U | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 付芬;张洁;王旻峰;邓树军;汪良 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘曾 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请提供一种碳化硅单晶生长装置，包括坩埚主体、坩埚盖体和重结晶抑制件，坩埚主体设有容置槽，坩埚盖体与坩埚主体活动连接，用于打开或关闭容置槽的槽口；容置槽用于容纳碳化硅原料，坩埚盖体朝向容置槽的一侧用于设置碳化硅籽晶；重结晶抑制件设有凹槽以及供气体流动的通道，重结晶抑制件用于设于碳化硅原料的表面，且凹槽的槽口朝向碳化硅籽晶并与碳化硅籽晶具有间距。碳化硅粉料的利用率高，降低生长成本。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 生长 装置 | ||
【主权项】：
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