[实用新型]碳化硅单晶生长装置

说明书

本申请提供一种碳化硅单晶生长装置，包括坩埚主体、坩埚盖体和重结晶抑制件，坩埚主体设有容置槽，坩埚盖体与坩埚主体活动连接，用于打开或关闭容置槽的槽口；容置槽用于容纳碳化硅原料，坩埚盖体朝向容置槽的一侧用于设置碳化硅籽晶；重结晶抑制件设有凹槽以及供气体流动的通道，重结晶抑制件用于设于碳化硅原料的表面，且凹槽的槽口朝向碳化硅籽晶并与碳化硅籽晶具有间距。碳化硅粉料的利用率高，降低生长成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体制备设备领域，具体而言，涉及一种碳化硅单晶生长装置。

背景技术

碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料中的一员，具有禁带宽度大、热导率高、载流子饱和迁移率高等特点，在高温、高频、大功率、微电子器件等方面具有巨大的应用潜力，涉及混合动力汽车、高压输电、LED照明和航天航空等领域。目前，最常用的碳化硅单晶生长方法是物理气相传输法(PVT)，在日益增强的商业竞争下，降低成本成为各个公司的研发目标。在成本组成中，碳化硅粉料成本又占去了大部分，所以有效的提高粉料的利用率，对于降低长晶成本非常重要。

经发明人研究发现，现有的碳化硅单晶制备设备存在如下缺点：

碳化硅粉料的重结晶现象严重，原料的利用率低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种碳化硅单晶生长装置和装置，其能够改善碳化硅粉料的重结晶现象，从而提高原料的利用率。

本实用新型的实施例是这样实现的：

第一方面，本实用新型提供一种碳化硅单晶生长装置，包括：

坩埚主体、坩埚盖体和重结晶抑制件，坩埚主体设有容置槽，坩埚盖体与坩埚主体活动连接，用于打开或关闭容置槽的槽口；容置槽用于容纳碳化硅原料，坩埚盖体朝向容置槽的一侧用于设置碳化硅籽晶；重结晶抑制件设有凹槽以及供气体流动的通道，重结晶抑制件用于设于碳化硅原料的表面，且凹槽的槽口朝向碳化硅籽晶并与碳化硅籽晶具有间距。

在可选的实施方式中，重结晶抑制件设为多孔石墨体。

在可选的实施方式中，多孔石墨体的孔隙率设置为20％～80％。

在可选的实施方式中，凹槽设置为弧形槽。

在可选的实施方式中，重结晶抑制件于凹槽的槽口处设有外翻的折边，折边用于遮挡碳化硅原料。

在可选的实施方式中，折边设为围绕凹槽的环形结构。

在可选的实施方式中，折边远离凹槽的一侧与坩埚主体的内壁贴合。

在可选的实施方式中，坩埚盖体包括相连的插接部和限位部，插接部用于插接于容置槽中，限位部用于与凹槽的槽口所在端面抵接；碳化硅籽晶用于设于插接部上。

在可选的实施方式中，限位部具有作业壁，作业壁包括安装区域以及位于安装区域的环形抵持区域，插接部与安装区域连接，抵持区域用于与凹槽的槽口所在端面抵持。

在可选的实施方式中，插接部与限位部一体成型。

第二方面，本实用新型提供一种碳化硅单晶生长装置，包括：

坩埚主体、坩埚盖体和重结晶抑制件，坩埚主体设有容置槽，坩埚盖体与坩埚主体活动连接，用于打开或关闭容置槽的槽口；容置槽内设有碳化硅原料，坩埚盖体朝向容置槽的一侧设有碳化硅籽晶；重结晶抑制件设有凹槽以及供气体流动的通道，重结晶抑制件设于碳化硅原料的表面，且凹槽的槽口朝向碳化硅籽晶并与碳化硅籽晶具有间距。

本实用新型实施例的有益效果是：