[实用新型]优化电流扩散层的LED芯片结构有效
| 申请号： | 202120674170.3 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN214336734U | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 陈晓冰 | 申请（专利权）人： | 普瑞（无锡）研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江苏漫修律师事务所 32291 | 代理人： | 熊启奎;周晓东 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种优化电流扩散层的LED芯片结构，在芯片衬底上生长LED芯片外延结构，通过刻蚀技术将暴漏区域的N‑GaN层刻蚀出来，形成N‑GaN台阶，在芯片结构上镀电流扩散层，电流扩散层图形对应位于在P电极的预留位置上，电流扩散层的线宽比P电极的线宽多2～4um，在电流扩散层的基础上设置透明导电层，在透明导电层上制作P电极，在暴露的N‑GaN台阶部分制作N电极。本实用新型采用优化的尺寸方案，最大程度地实现电流扩散效果兼顾提高发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 电流 扩散 led 芯片 结构 | ||
【主权项】：
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