[实用新型]优化电流扩散层的LED芯片结构

权利要求书

1.一种优化电流扩散层的LED芯片结构，其特征在于：在芯片衬底（1）上生长LED芯片外延结构，通过刻蚀技术将暴漏区域的N-GaN层（2）刻蚀出来，形成N-GaN台阶，在芯片结构上镀电流扩散层（5），电流扩散层（5）图形对应位于在P电极（7）的预留位置上，电流扩散层（5）的线宽比P电极（7）的线宽多2～4um，在电流扩散层（5）的基础上设置透明导电层（6），在透明导电层（6）上制作P电极（7），在暴露的N-GaN台阶部分制作N电极（8）。

2.根据权利要求1所述的优化电流扩散层的LED芯片结构，其特征在于：电流扩散层（5）是利用PECVD镀膜技术沉积的SiO₂薄膜。

3.根据权利要求1所述的优化电流扩散层的LED芯片结构，其特征在于：采用湿法蚀刻技术制作电流扩散层（5）图形。

4.根据权利要求1所述的优化电流扩散层的LED芯片结构，其特征在于：透明导电层（6）是利用sputter溅射技术在芯片结构表面上镀的ITO膜。

5.根据权利要求1所述的优化电流扩散层的LED芯片结构，其特征在于：N、P电极的线宽尺寸为2.5～3.5um。

6.根据权利要求1所述的优化电流扩散层的LED芯片结构，其特征在于：芯片衬底（1）为蓝宝石、硅片、碳化硅片或金属。

7.根据权利要求1所述的优化电流扩散层的LED芯片结构，其特征在于：LED芯片外延结构是依次生长的缓冲层、U-GaN层、N-GaN层（2）、多量子阱层（3）和P-GaN层（4），或者是依次生长的N-GaN层（2）、多量子阱层（3）和P-GaN层（4）。