[实用新型]一种高一致性的Micro LED芯片

摘要

本实用新型涉及Micro LED芯片技术领域，公开了一种高一致性的Micro LED芯片，包括衬底和设于衬底上的GaN基外延片，GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，N型GaN层上镀设有N型电极层，P型GaN层上镀设有P型电极层，GaN基外延片设有多个纵横交错分布的隔离槽，隔离槽将GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元，隔离槽位于N型GaN层的上方且裸露N型GaN层的顶面，隔离槽内的N型GaN层的裸露顶面镀设有与N型电极层一体成型的内置N型电极层，内置N型电极层的侧边与发光单元相隔。采用本实用新型，内置N型电极层的设置使电流在N型GaN层扩散时均匀分布，从而确保各发光单元发光时的亮度保持一致。