[实用新型]一种高一致性的Micro LED芯片

说明书

本实用新型涉及Micro LED芯片技术领域，公开了一种高一致性的Micro LED芯片，包括衬底和设于衬底上的GaN基外延片，GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，N型GaN层上镀设有N型电极层，P型GaN层上镀设有P型电极层，GaN基外延片设有多个纵横交错分布的隔离槽，隔离槽将GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元，隔离槽位于N型GaN层的上方且裸露N型GaN层的顶面，隔离槽内的N型GaN层的裸露顶面镀设有与N型电极层一体成型的内置N型电极层，内置N型电极层的侧边与发光单元相隔。采用本实用新型，内置N型电极层的设置使电流在N型GaN层扩散时均匀分布，从而确保各发光单元发光时的亮度保持一致。

技术领域

本实用新型涉及Micro LED芯片技术领域，特别是涉及一种高一致性的Micro LED芯片。

背景技术

Micro LED技术，即LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外LED显示屏的微缩版，将发光单元距离从毫米级降低至微米级。现在的Micro LED芯片一般采用共N电极的工艺，P电极单独驱动以控制各个发光单元的点亮。Micro LED芯片工作时，电流需从Micro LED芯片的N极回流至电源的负极，由于Micro LED芯片共N电极，因此电流会在外延层扩展，由于外延层的导电性能较差，因此可能会导致靠近N电极的发光单元和远离N电极的发光单元在点亮时存在亮度不一致的问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种确保各发光单元的发光亮度一致的高一致性的Micro LED芯片。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种高一致性的Micro LED芯片，包括衬底和设于所述衬底上的GaN基外延片，所述GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，所述N型GaN层上镀设有N型电极层，所述P型GaN层上镀设有P型电极层，其特征在于：所述GaN基外延片设有多个纵横交错分布的隔离槽，所述隔离槽将所述GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元，所述隔离槽位于所述N型GaN层的上方且裸露所述N型GaN层的顶面，所述隔离槽内的所述N型GaN层的裸露顶面镀设有与所述N型电极层一体成型的内置N型电极层，所述内置N型电极层的侧边与所述发光单元相隔。

作为本实用新型的优选方案，所述N型GaN层上设有台阶，所述发光单元设于所述台阶上。

作为本实用新型的优选方案，所述发光单元上设有保护层，且所述保护层上设有裸露所述P型电极层的导电通道，所述内置N型电极层由所述保护层包覆。

作为本实用新型的优选方案，所述P型电极层通过所述导电通道凸出于所述P型GaN层。

作为本实用新型的优选方案，所述内置N型电极层的高度与所述发光量子阱层持平。

作为本实用新型的优选方案，所述P型GaN层与所述P型电极层之间设有ITO层。

作为本实用新型的优选方案，所述衬底为蓝宝石衬底。

实施本实用新型提供的一种高一致性的Micro LED芯片，与现有技术相比较，其有益效果在于：由于内置N型电极层的设置，当电流在N型GaN层扩展时，电流能通过N型电极层传输，使得电流在N型GaN层内分布更均匀，最终使得每个发光单元点亮时的亮度一致；此外，内置N型电极层可起到阻挡发光单元侧光的作用，有效改善了发光单元单独点亮时侧壁漏光的缺点。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型的截面结构原理图；