[实用新型]沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管有效
申请号: | 202120532229.5 | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN215118910U | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 马万里 | 申请(专利权)人: | 深圳市昭矽微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/08 | 分类号: | H01L29/08;H01L29/06;H01L29/78 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 林青中 |
地址: | 518172 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制备方法。该晶体管包括衬底层、外延层、体区、第一栅介质层、栅极和源区;外延层层叠设置于衬底层上,体区层叠设置于外延层上,外延层和体区中开设有沟槽,沟槽的开口位于外延层的上表面、槽底位于体区中;第一栅介质层和栅极均设置于沟槽中;部分栅极设置于体区中、部分栅极设置于外延层中,第一栅介质层用于间隔栅极与体区和栅极与外延层,源区设置于体区中。该沟槽型VDMOS器件能够使得半导体器件的发热量和能耗都得到显著的降低,运行速度得以提升。 | ||
搜索关键词: | 沟槽 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市昭矽微电子科技有限公司,未经深圳市昭矽微电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202120532229.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:折叠绫织强力压面装置
- 下一篇:一种熔融还原炉原料输送系统
- 同类专利
- 专利分类