[实用新型]沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管

权利要求书

1.一种沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，包括衬底层、外延层、体区、第一栅介质层、栅极和源区；

所述外延层层叠设置于所述衬底层上，所述体区层叠设置于所述外延层上，所述外延层和所述体区中开设有沟槽，所述沟槽槽口位于所述体区的上表面且槽底位于所述外延层中，所述第一栅介质层和所述栅极均设置于所述沟槽中；所述栅极部分设置于所述体区中且部分设置于所述外延层中，所述第一栅介质层用于间隔所述栅极与所述体区层并用于间隔所述栅极与所述外延层，所述源区设置于所述体区中；

所述体区、所述外延层和所述源区均为掺杂半导体，其中，所述体区的掺杂类型为第一掺杂类型，所述外延层和所述源区的掺杂类型为与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型，所述体区为硅基体区，所述源区为碳化硅基源区，所述栅极为多晶硅栅极。

2.根据权利要求1所述的沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，还包括第二栅介质层和应变区，所述应变区设置于所述栅极的下方，所述应变区位于所述外延层中且接触所述外延层设置，所述第二栅介质层设置于所述应变区与所述栅极之间，所述应变区与所述外延层的掺杂类型相同，所述外延层为硅基外延层，所述应变区为碳化硅基应变区。

3.根据权利要求2所述的沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述应变区中的掺杂浓度高于所述外延层的掺杂浓度。

4.根据权利要求2所述的沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述应变区的厚度为0.1μm～1μm。

5.根据权利要求1～4任一项所述的沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述栅极的厚度为0.1μm～5μm。

6.根据权利要求1～4任一项所述的沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述源区也设置于所述沟槽中。

7.根据权利要求6所述的沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述沟槽为台阶孔结构，所述台阶孔结构中的台阶位于所述体区内，且内径较大的一段位于上方，其中，所述源区位于所述台阶孔结构中内径较大的一段，所述栅极位于所述台阶孔结构中内径较小的一段。

8.根据权利要求1～4及7任一项所述的沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，还包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层电连接所述源区，所述第二金属层电连接所述衬底层。

9.根据权利要求8所述的沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，还包括图案化的阻隔层，所述源区露出于所述体区的上表面，所述阻隔层整体覆盖所述体区、所述源区和所述栅极，所述第一金属层穿过所述阻隔层并接触所述源区。

10.根据权利要求9所述的沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，还包括源区氧化层和体区氧化层，所述源区氧化层设置于所述阻隔层与所述源区之间，所述体区氧化层设置于所述阻隔层与所述体区之间。