[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 202120459296.9 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN214753772U | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 崔傲;吴勇;王东;黄永;陈兴;汪琼;陆俊;陈军飞;袁珂;操焰 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海驷合知识产权代理有限公司 31405 | 代理人： | 于秀 |
| 地址： | 241002 安徽省芜湖市弋江区高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体器件，包括：衬底；半导体层，设置于衬底上；源极、漏极、栅极和钝化层，均设置于半导体层远离衬底的表面上，钝化层和栅极均设置于源极和漏极之间，栅极被包覆于钝化层内；第一源场板，一端设置于钝化层内，另一端延伸于钝化层外，且第一源场板与栅极之间具有第一空气间隔；第二源场板，与源极远离半导体层的端部相连接，并罩设于栅极上；第二源场板与栅极之间具有第二空气间隔。第一源场板和第二源场板的双源场板结构，能够降低栅极和源极之间的电容，提升器件的截止频率，提高该半导体器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
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