[实用新型]一种半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底(1)；

半导体层(2)，设置于所述衬底(1)上；

源极(3)、漏极(4)、栅极(5)和钝化层(6)，均设置于所述半导体层(2)远离所述衬底(1)的表面上，所述钝化层(6)和所述栅极(5)均设置于所述源极(3)和所述漏极(4)之间，所述栅极(5)被包覆于所述钝化层(6)内；

第一源场板(7)，一端设置于所述钝化层(6)内，另一端延伸于所述钝化层(6)外，且所述第一源场板(7)与所述栅极(5)之间具有第一空气间隔(70)；

第二源场板(8)，与所述源极(3)远离所述半导体层(2)的端部相连接，并罩设于所述栅极(5)上；所述第二源场板(8)与所述栅极(5)之间具有第二空气间隔(80)。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源场板(7)包括第一场板部(71)和第二场板部(72)，所述第一场板部(71)的一端设置于所述钝化层(6)内，另一端延伸至所述钝化层(6)外，所述第二场板部(72)与所述第一场板部(71)远离所述钝化层(6)的端部相连接，并罩设于所述栅极(5)上；所述第一空气间隔(70)为所述第二场板部(72)与所述栅极(5)之间的空气间隔。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场板部(71)靠近所述栅极(5)的侧面与所述钝化层(6)之间具有空气间隔；所述第一空气间隔(70)包括所述第一场板部(71)靠近所述栅极(5)的侧面与所述钝化层(6)之间的空气间隔，以及所述第二场板部(72)与所述栅极(5)之间的空气间隔。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源场板(7)设置于所述栅极(5)和所述漏极(4)之间，所述第二源场板(8)罩设于所述栅极(5)以及所述第一源场板(7)上。

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极(5)包括第一电极部(51)和第二电极部(52)，所述第二电极部(52)与所述第一电极部(51)远离所述半导体层(2)的端部相连接，并朝向所述第一源场板(7)延伸。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极(5)底部与所述半导体层(2)之间的距离小于所述第一源场板(7)底部与所述半导体层(2)之间的距离。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底(1)为金刚石，所述半导体层(2)为氢终端表面层。