[实用新型]一种半导体量子点器件有效
| 申请号： | 202120434495.4 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN214378456U | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 孔伟成;张辉;赵勇杰 | 申请（专利权）人： | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/10;H01L29/45 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市合肥市高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体量子点器件，包括硅基底；位于所述硅基底上的二氧化硅层，所述二氧化硅层上形成有离子注入窗口，其中，所述离子注入窗口用于向所述硅基底注入离子；位于所述二氧化硅层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有与所述注入离子欧姆接触的欧姆电极；位于所述二氧化硅层上的量子点窗口，所述量子点窗口位于所述欧姆电极之间且裸漏出所述二氧化硅层；位于所述量子点窗口内的第一金属电极和磁体，其中，所述第一金属电极层叠布置，所述第一金属电极用于形成量子点，所述磁体用于对所述量子点进行调控。通过在所述量子点窗口内形成层叠的第一金属电极，可以对第一金属电极的尺寸和相对位置进行调整，提高了量子点参数的可调性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 量子 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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