[实用新型]一种半导体量子点器件有效
| 申请号： | 202120434495.4 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN214378456U | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 孔伟成;张辉;赵勇杰 | 申请（专利权）人： | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/10;H01L29/45 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市合肥市高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 量子 器件 | ||
1.一种半导体量子点器件，其特征在于，包括：
硅基底；
位于所述硅基底上的二氧化硅层，所述二氧化硅层上形成有离子注入窗口，其中，所述离子注入窗口用于向所述硅基底注入离子；
位于所述二氧化硅层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有与所述注入离子欧姆接触的欧姆电极；
位于所述二氧化硅层上的量子点窗口，所述量子点窗口位于所述欧姆电极之间且裸漏出所述二氧化硅层；
位于所述量子点窗口内的第一金属电极和磁体，其中，所述第一金属电极层叠布置，所述第一金属电极用于形成量子点，所述磁体用于对所述量子点进行调控。
2.根据权利要求1所述的半导体量子点器件，其特征在于，所述第一绝缘层上还形成有第二金属电极，所述第二金属电极与所述第一金属电极一一电连接，其中，所述第二金属电极位于所述量子点窗口外，用于将接收到的电压控制信号传输到所述第一金属电极。
3.根据权利要求1所述的半导体量子点器件，其特征在于，所述第一金属电极包括：
第一子金属电极，在所述量子点窗口内平行布置，所述第一子金属电极用于形成沟道；
第二子金属电极，位于所述第一子金属电极上，所述第二子金属电极用于在所述沟道内形成量子点；
第三子金属电极，位于所述第二子金属电极上，所述第三子金属电极用于调节所述量子点的耦合参数；
其中，所述第一子金属电极和所述第二子金属电极之间、所述第二子金属电极和所述第三子金属电极之间均形成有第二绝缘层。
4.根据权利要求3所述的半导体量子点器件，其特征在于，所述第二子金属电极与所述第三子金属电极在水平方向上相间设置。
5.根据权利要求3所述的半导体量子点器件，其特征在于，所述第一子金属电极、所述第二子金属电极和所述第三子金属电极的材料为铝，所述第二绝缘层的材料为氧化铝。
6.根据权利要求3所述的半导体量子点器件，其特征在于，所述磁体位于所述第三子金属电极上方。
7.根据权利要求1所述的半导体量子点器件，其特征在于，所述磁体包括第一金属层和第二金属层，其中，所述第二金属层位于所述第一金属层上。
8.根据权利要求7所述的半导体量子点器件，其特征在于，所述第一金属层材质为钛，所述第二金属层材质为钴。
9.根据权利要求8所述的半导体量子点器件，其特征在于，所述第一金属层的厚度为10nm,所述第二金属层的厚度为250nm。
10.根据权利要求1所述的半导体量子点器件，其特征在于，所述磁体的形状包括梯形、U型、环形中的一种。
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