[实用新型]一种LED芯片的外延结构有效
| 申请号： | 202120408080.X | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN214254447U | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 刘恒山;吴永胜;解向荣;曹鑫;唐允清;马野 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 唐燕玲 |
| 地址： | 350109 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种LED芯片的外延结构，包括衬底层、N型氮化镓层、量子阱层、含铟的隔离层及P型氮化镓层；所述N型氮化镓层、所述量子阱层、所述隔离层及所述P型氮化镓层由靠近所述衬底层至远离所述衬底层的方向依次排布；本实用新型在量子阱层和P型氮化镓层之间加入含铟的隔离层，铟能够发挥类似表面活性剂的作用，增加材料在生长过程中的表面迁移能力，使得其下已生长完成的量子阱层中可能已经产生的V型坑得到填充从而变小甚至填平，使得V型坑的数量减小及降低V型坑的深度，从而降低了V型坑带来的量子阱层电阻值下降及错位穿透的影响，提升了LED芯片的正向抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 外延 结构 | ||
【主权项】：
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