[实用新型]一种LED芯片的外延结构有效
| 申请号： | 202120408080.X | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN214254447U | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 刘恒山;吴永胜;解向荣;曹鑫;唐允清;马野 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 唐燕玲 |
| 地址： | 350109 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 外延 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED芯片的外延结构，其特征在于，包括衬底层、N型氮化镓层、量子阱层、含铟的隔离层及P型氮化镓层；
所述N型氮化镓层、所述量子阱层、所述隔离层及所述P型氮化镓层由靠近所述衬底层至远离所述衬底层的方向依次排布。
2.根据权利要求1所述的一种LED芯片的外延结构，其特征在于，所述隔离层为非掺杂的铟镓氮。
3.根据权利要求1所述的一种LED芯片的外延结构，其特征在于，还包括氮化物缓冲层，所述氮化物缓冲层位于所述衬底层及所述N型氮化镓层之间。
4.根据权利要求1所述的一种LED芯片的外延结构，其特征在于，还包括欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述P型氮化镓层远离所述衬底层的一端。
5.根据权利要求1所述的一种LED芯片的外延结构，其特征在于，所述N型氮化镓层包括非掺杂的氮化镓。
6.根据权利要求1所述的一种LED芯片的外延结构，其特征在于，所述量子阱层包括氮化铟镓。
7.根据权利要求1所述的一种LED芯片的外延结构，其特征在于，所述衬底层为蓝宝石、硅或硅化物。
8.根据权利要求3所述的一种LED芯片的外延结构，其特征在于，所述氮化物缓冲层包括氮化铝。
9.根据权利要求1所述的一种LED芯片的外延结构，其特征在于，还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述量子阱层及所述隔离层之间。
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