[实用新型]一种可避免非绝热跃迁的静电晶格

摘要

本实用新型公开了一种可避免非绝热跃迁的静电晶格，涉及芯片相关领域；该静电晶格包括微阱，所述微阱沿纵向和径向的方向阵列复制有多个，微阱由弧形电极和环形电极组成，所述弧形电极设在环形电极中，相邻两个所述环形电极之间通过连接口连接，所述弧形电极上开设有裂缝且弧形电极的圆心处为阱中心；本实用设置的静电晶格结构可以避免阱中分子由于非绝热跃迁而逃逸，无需加外磁场，对所有弱场搜寻态的冷极性分子是普遍适用的；解决了现有的静电晶格方案，每个微阱的阱中心的场强均为0，无法避免非绝热跃迁导致的阱中分子的逃逸，即使加了外磁场，也只对个别分子可以解决此问题，因此适用性不高的问题。