[实用新型]一种可避免非绝热跃迁的静电晶格

说明书

本实用新型公开了一种可避免非绝热跃迁的静电晶格，涉及芯片相关领域；该静电晶格包括微阱，所述微阱沿纵向和径向的方向阵列复制有多个，微阱由弧形电极和环形电极组成，所述弧形电极设在环形电极中，相邻两个所述环形电极之间通过连接口连接，所述弧形电极上开设有裂缝且弧形电极的圆心处为阱中心；本实用设置的静电晶格结构可以避免阱中分子由于非绝热跃迁而逃逸，无需加外磁场，对所有弱场搜寻态的冷极性分子是普遍适用的；解决了现有的静电晶格方案，每个微阱的阱中心的场强均为0，无法避免非绝热跃迁导致的阱中分子的逃逸，即使加了外磁场，也只对个别分子可以解决此问题，因此适用性不高的问题。

技术领域

本实用新型涉及芯片相关领域，具体是一种可避免非绝热跃迁的静电晶格。

背景技术

静电晶格是在一种介质（如玻璃）表面刻蚀尺寸为微米量级的金属电极（如黄金），构成一个一维或者二维的静电微阱阵列，从而可以在介质表面囚禁冷极性分子。

非绝热跃迁是分子被囚禁在静电阱中，如果分子从可囚禁的量子态跃迁到不可囚禁的量子态，这样分子会从静电阱中逃逸。

通过在芯片上构建微型化的电极结构，可以在很低的电压下形成很强的电场梯度，可以用来精密操控极性分子，也称为分子芯片。其有广泛的潜在应用：将超冷极性分子作为量子比特可应用于量子计算；分子芯片可用于研究表面冷碰撞和冷化学、研究芯片对分子的振动、转动加热现象；可用于研究分子激发态寿命、物质波干涉等。

现有的静电晶格方案，每个微阱的阱中心的场强均为0，无法避免非绝热跃迁导致的阱中分子的逃逸。即使加了外磁场，也只对个别分子可以解决此问题，适用性不高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可避免非绝热跃迁的静电晶格，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种可避免非绝热跃迁的静电晶格；包括微阱，所述微阱沿纵向和径向的方向阵列复制有多个，微阱由弧形电极和环形电极组成，所述弧形电极设在环形电极中，相邻两个所述环形电极之间通过连接口连接，所述弧形电极上开设有裂缝且弧形电极的圆心处为阱中心。

作为本实用新型进一步的方案：所述弧形电极和环形电极的材料均为金。

作为本实用新型进一步的方案：所述弧形电极和环形电极构造在介质层表面。

作为本实用新型再进一步的方案：所述介质层为玻璃。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用设置的静电晶格结构可以避免阱中分子由于非绝热跃迁而逃逸，无需加外磁场，对所有弱场搜寻态的冷极性分子是普遍适用的；解决了现有的静电晶格方案，每个微阱的阱中心的场强均为0，无法避免非绝热跃迁导致的阱中分子的逃逸，即使加了外磁场，也只对个别分子可以解决此问题，因此适用性不高的问题。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型中组成静电晶格的结构示意图。

图3为装载分子时的一维电场分布图。

图4为囚禁分子时的一维电场分布图。

附图标记注释：环形电极1、弧形电极2、裂缝202、连接口101。

具体实施方式

以下实施例会结合附图对本实用新型进行详述，在附图或说明中，相似或相同的部分使用相同的标号，并且在实际应用中，各部件的形状、厚度或高度可扩大或缩小。本实用新型所列举的各实施例仅用以说明本实用新型，并非用以限制本实用新型的范围。对本实用新型所作的任何显而易知的修饰或变更都不脱离本实用新型的精神与范围。