[实用新型]下电极组件及化学气相沉积装置有效
| 申请号： | 202120359603.6 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN214300349U | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 姜勇;谢振南 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;C23C16/46;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种下电极组件及化学气相沉积装置，其中，下电极组件包括：加热盘，具有凹陷于其表面的基片槽，所述基片槽的底部设有凸台，用于支撑基片，所述基片与基片槽的底部之间形成凹坑空间，所述基片槽的底部内设有若干个加热元件，所述基片槽的底部设有进气口，用于向所述凹坑空间内基片的背面输送导热气体。利用所述化学气相沉积装置有利于提高基片不同区域温度的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 组件 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
