[实用新型]下电极组件及化学气相沉积装置

权利要求书

1.一种下电极组件，其特征在于，包括：

加热盘，具有凹陷于其表面的基片槽，所述基片槽的底部设有凸台，所述凸台用于支撑基片，所述基片与基片槽的底部之间形成凹坑空间，所述基片槽的底部内设有若干个加热元件，所述基片槽的底部设有进气口，所述进气口用于向所述凹坑空间内所述基片的背面输送导热气体，所述导热气体在所述凹坑空间内扩散，最后从所述基片边缘与基片槽侧壁之间的间隙释放出去。

2.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述导热气体包括：氢气、氮气、氩气或氦气中的一种或者多种。

3.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述进气口的个数为多个，多个所述进气口在所述基片槽的底部均匀分布。

4.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述基片槽的底部设有若干个第一气道，所述导热气体由所述进气口进入所述第一气道。

5.如权利要求4所述的下电极组件，其特征在于，所述若干个第一气道同心设置，所述进气口与内圈的第一气道连通，不同圈的第一气道之间通过连接通道连通。

6.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，还包括：位于所述加热盘下方中心区域的支撑筒，所述支撑筒包括：内支撑筒和外支撑筒。

7.如权利要求6中所述的下电极组件，其特征在于，所述内支撑筒与外支撑筒内外套设，在所述内支撑筒与外支撑筒之间形成第二气道，所述第二气道与进气口连通。

8.如权利要求6所述的下电极组件，其特征在于，所述内支撑筒位于所述加热盘下方的中心，所述外支撑筒为多个，多个所述外支撑筒环绕设置在所述内支撑筒的外围，所述外支撑筒内为第二气道，所述第二气道与进气口连通。

9.如权利要求6所述的下电极组件，其特征在于，所述加热盘不旋转，还包括：位于所述支撑筒下方的密封件，所述密封件内设有气体传输通道，所述气体传输通道与所述进气口连通，用于输送导热气体。

10.如权利要求6所述的下电极组件，其特征在于，所述加热盘沿其中心轴旋转，还包括：磁流体装置，位于所述支撑筒的下方，所述磁流体装置包括：磁流体内轴和磁流体外轴，所述磁流体内轴的外侧壁与磁流体外轴的内侧壁之间通过磁流体环形成轴间气道，所述磁流体内轴内部设置有内轴气道，所述内轴气道包括纵向气道和横向气道，所述纵向气道包括第一端和第二端，所述横向气道包括第三端和第四端，所述第一端为磁流体出气口，所述磁流体出气口与进气口连通，所述第二端与第三端连通，所述第四端与所述轴间气道连通，所述磁流体外轴侧壁设置若干个磁流体进气口，所述磁流体进气口与所述轴间气道连通。

11.如权利要求10所述的下电极组件，其特征在于，不同的所述磁流体进气口与不同的轴间气道连通，使基片的不同区域的温度可调。

12.如权利要求8所述的下电极组件，其特征在于，还包括：

若干个气体流量控制器，分别用于控制若干个所述外支撑筒内的各种导热气体的流量；

至少一个检测传感器，用于监控基片不同区域的温度；

控制模块，接收所述检测传感器反馈的基片的温度，根据预设定条件发送相应的控制命令给所述多个气体流量控制器，控制每个气体流量控制器所对应的各个外支撑筒内各种导热气体的流量，以调整基片不同区域下方的凹坑空间的导热气体的配比。

13.如权利要求12所述的下电极组件，其特征在于，还包括：供气装置，

所述供气装置包括多个气源，每一所述气体流量控制器控制不同气源的流量，混合形成多种所述导热气体，并将所述导热气体对应输送到各个独立的所述外支撑筒内。