[实用新型]一种横向绝缘栅极双极晶体管有效
| 申请号： | 202120332105.2 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN215869396U | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 于桂宝 | 申请（专利权）人： | 深圳市龙晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市远航专利商标事务所(普通合伙) 44276 | 代理人： | 田志远;袁浩华 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种横向绝缘栅极双极晶体管，包括半导体衬底和寄生二极管，所述半导体衬底的顶部设置有第一绝缘层，且第一绝缘层的顶部连接有P型半导体层，所述P型半导体层的顶部外表面连接有场氧化层结构，且场氧化层结构的右侧设置有N型阱区域，所述N型阱区域内部设置有P+型漏极区域，且P+型漏极区域的顶部连接有漏极引出端，所述场氧化层结构的左侧设置有P型阱区域，同时P+型源极区域与N+型源极区域的顶部连接有源极引出端，所述P型阱区域内部设置有栅极沟槽，该横向绝缘栅极双极晶体管，结构简单，单个元胞结构更大的工作电流使得器件面积小、导通压降小，值得推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 绝缘 栅极 双极晶体管 | ||
【主权项】：
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