[实用新型]微电子器件有效
| 申请号： | 202120260881.6 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN215600373U | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | J·日默内·马蒂内 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/082;H01L21/8228 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的各实施例涉及微电子器件。微电子器件包括竖直布置在P型掺杂半导体衬底中的PNP晶体管和NPN晶体管，通过以下步骤制造：在半导体衬底中形成用于PNP晶体管的N+掺杂隔离阱；在N+掺杂隔离阱中形成P+掺杂区；在半导体衬底上外延生长第一半导体层；形成用于NPN晶体管的N+掺杂阱，其中N+掺杂阱的至少一部分延伸到第一半导体层中；然后在第一半导体层上外延生长第二半导体层；在第二半导体层中形成P掺杂区，该P掺杂区形成PNP晶体管的集电极；以及在第二半导体层中形成N掺杂区，该N掺杂区形成NPN晶体管的集电极。通过本实用新型的实施例，可以在微电子器件的同一半导体衬底中集成两种类型的晶体管，而不会降低任一个的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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