[实用新型]微电子器件有效
| 申请号： | 202120260881.6 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN215600373U | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | J·日默内·马蒂内 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/082;H01L21/8228 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微电子 器件 | ||
1.一种微电子器件，其特征在于，包括PNP晶体管和NPN晶体管，所述微电子器件包括：
半导体衬底；
所述半导体衬底中的P+掺杂区；
其中所述PNP晶体管的集电极被布置在所述半导体衬底中的所述P+掺杂区上；
所述半导体衬底中的N+掺杂阱；
其中所述NPN晶体管的集电极被布置在所述半导体衬底中的所述N+掺杂阱上；
其中用于所述PNP晶体管的所述P+掺杂区至少部分地延伸到第一外延半导体层中；以及
其中用于所述NPN晶体管的所述N+掺杂阱至少部分地延伸到被布置在所述第一外延半导体层上的第二外延半导体层中；
其中用于所述PNP晶体管的所述P+掺杂区位于比用于所述NPN晶体管的所述N+掺杂阱更远离所述微电子器件的上器件表面。
2.根据权利要求1所述的微电子器件，其特征在于，所述第一外延半导体层具有在0.5μm至0.7μm之间的厚度。
3.根据权利要求1所述的微电子器件，其特征在于，所述第一外延半导体层是轻P掺杂的。
4.根据权利要求1所述的微电子器件，其特征在于，所述第一外延半导体层是非有意掺杂的。
5.根据权利要求1所述的微电子器件，其特征在于，所述第二外延半导体层具有在0.3μm至0.5μm之间的厚度。
6.根据权利要求1所述的微电子器件，其特征在于，所述第二外延半导体层是轻N掺杂的。
7.根据权利要求1所述的微电子器件，其特征在于，所述第二外延半导体层是非有意掺杂的。
8.根据权利要求1所述的微电子器件，其特征在于，所述第一外延半导体层和所述第二外延半导体层的厚度的总和在0.8μm至1.2μm之间。
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