[实用新型]屏蔽栅功率器件的版图结构有效
| 申请号： | 202120257022.1 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN213958962U | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 蒋平;徐承福 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种屏蔽栅功率器件的版图结构，包括元胞区，所述元胞区包括交错设置的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽从横向和纵向两个方向起到屏蔽作用，使导通电阻下降，增强了屏蔽效果，提高了器件的高压耐压能力。进一步的，本实用新型采用交错设置的第一沟槽和第二沟槽的设计，在屏蔽栅功率器件的版图结构中形成封闭式的终端区布局，节省了终端面积，进一步提高BV耐压和降低导通电阻。另外，本实用新型中栅电极电位从元胞区的两侧的栅极区引出，这样布局可以使有源区得到充分的利用，提高有源区的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 功率 器件 版图 结构 | ||
【主权项】：
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