[实用新型]适用于LDO电路的增强型缓冲器及其LDO电路有效

专利信息
申请号: 202120018476.3 申请日: 2021-01-04
公开(公告)号: CN213634248U 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 张顺;王自鑫;姚剑锋;袁凤江;胡炳翔;杨锐佳 申请(专利权)人: 佛山市蓝箭电子股份有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 佛山汇能知识产权代理事务所(普通合伙) 44410 代理人: 陈礼汉;张俊平
地址: 528051 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型属于电源电路领域,特别是一种适用于LDO电路的增强型缓冲器及其LDO电路,包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第一电流源I1、第二电流源I2、第三电流源I3和第四电流源I4;缓冲器的输入端VIN1为第一MOS管M1的栅极,缓冲器的输出端VOUT1为第一MOS管M1的源极,第一MOS管M1的源极分别与第一电流源I1、第三MOS管M3的漏极和第二MOS管M2的漏极连接。本实用新型输出阻抗小,并且放大管尺寸也小,不但增强了LDO的瞬态响应,而且节省空间。
搜索关键词: 适用于 ldo 电路 增强 缓冲器 及其
【主权项】:
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