[发明专利]鳍结构的形成方法、FinFET器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202111681692.7 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114334634A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 刘云珍 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201821 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种鳍结构的形成方法、FinFET器件及其形成方法，该鳍结构的形成方法包括：提供一衬底，衬底上具有鳍片，鳍片为上窄下宽结构，鳍片具有竖直部及倾斜部，竖直部的顶面具有掩模层；执行离子注入工艺以改变至少部分倾斜部的材质；执行蚀刻工艺以去除被离子注入的倾斜部，蚀刻工艺中被离子注入的倾斜部的蚀刻速率大于竖直部的蚀刻速率。本发明中，通过对鳍片的倾斜部执行离子注入工艺，以使离子注入的倾斜部的材质发生改变，使其材质不同于未离子注入的鳍片，并据此在蚀刻工艺中利用两者的刻蚀选择性去除离子注入的倾斜部，以使鳍片的侧壁更为垂直，从而解决由鳍结构上窄下宽形貌所导致的栅极与源漏之间漏电的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 形成 方法 finfet 器件 及其 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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