[发明专利]鳍结构的形成方法、FinFET器件及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上具有鳍片，所述鳍片为上窄下宽结构，所述鳍片具有竖直部以及位于所述竖直部侧面的倾斜部，所述竖直部的顶面具有掩模层；

执行离子注入工艺以改变至少部分所述倾斜部的材质；

执行蚀刻工艺以去除被离子注入的倾斜部，所述蚀刻工艺中被离子注入的倾斜部的蚀刻速率大于所述竖直部的蚀刻速率。

2.根据权利要求1所述的鳍结构的形成方法，其特征在于，所述鳍片的材质包括硅，所述离子注入工艺注入的离子包括锗离子或砷离子，以使被离子注入的倾斜部转变为无定形硅。

3.根据权利要求2所述的鳍结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺的注入方向与衬底水平方向的夹角为89.9°～90.1°，注入能量为0.2Kev～20Kev，注入剂量为1×10¹²atom/cm²～5×10¹⁶atom/cm²。

4.根据权利要求1所述的鳍结构的形成方法，其特征在于，所述鳍片的材质包括硅，所述离子注入工艺注入的离子包括氧离子，执行离子注入工艺后进行退火工艺，以使被离子注入的倾斜部转变为二氧化硅。

5.根据权利要求4所述的鳍结构的形成方法，其特征在于，所述退火工艺包括低温退火工艺或快速退火工艺。

6.根据权利要求4所述的鳍结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺的注入方向与衬底水平方向的夹角为89.9°～90.1°，所述离子注入工艺的注入能量为0.2Kev～20Kev，注入剂量为1×10¹²atom/cm²～5×10¹⁶atom/cm²。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的鳍结构的形成方法，其特征在于，执行所述离子注入工艺及所述蚀刻工艺以后，所述的鳍结构的形成方法还包括：

形成隔离介质层，所述隔离介质层填充于相邻的竖直部之间且暴露预定高度的竖直部，以凸出于所述隔离介质层的竖直部作为所述鳍结构。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的鳍结构的形成方法，其特征在于，执行离子注入工艺之前，所述鳍结构的形成方法还包括：

形成隔离介质层，所述隔离介质层填充于相邻的鳍片之间且暴露预定高度的鳍片；

其中，所述离子注入工艺在凸出于所述隔离介质层的倾斜部中注入离子，所述蚀刻工艺去除凸出于所述隔离介质层的被离子注入的倾斜部，以凸出于所述隔离介质层的竖直部作为所述鳍结构。

9.一种FinFET器件的形成方法，其特征在于，包括：

采用如权利要求1至8中任一项所述的鳍结构的形成方法形成FinFET器件的鳍结构。

10.一种FinFET器件，其特征在于，采用如权利要求9所述的FinFET器件的形成方法形成。