[发明专利]碳化硅籽晶与石墨盖的固定方法、石墨盖及生长工艺方法有效
| 申请号： | 202111674812.0 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114318519B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 张磊 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36;C23C16/27 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅籽晶与石墨盖的固定方法、石墨盖及生长工艺方法，包括：在碳化硅籽晶的固定面形成金刚石膜层；在石墨盖的粘接面上形成有机胶层；将碳化硅籽晶的背面与所述石墨盖的粘接面相对，使金刚石膜层与有机胶层粘接在一起；对粘接有碳化硅籽晶的石墨盖施加第一设定压力并加热至第一设定温度，使有机胶层固化为粘接石墨层，其中，第一设定温度低于金刚石发生石墨相变的温度。实现减少碳化硅单晶生长工艺过程中籽晶背面升华，提高碳化硅晶体的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 籽晶 石墨 固定 方法 生长 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111674812.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
