[发明专利]碳化硅籽晶与石墨盖的固定方法、石墨盖及生长工艺方法有效
| 申请号： | 202111674812.0 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114318519B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 张磊 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36;C23C16/27 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 籽晶 石墨 固定 方法 生长 工艺 | ||
1.一种碳化硅籽晶与石墨盖的固定方法，其特征在于，包括：
在碳化硅籽晶的固定面上形成金刚石膜层；
在石墨盖的粘接面上形成有机胶层；
将所述碳化硅籽晶的固定面与所述石墨盖的粘接面相对，使所述金刚石膜层与所述有机胶层粘接在一起；
对粘接有所述碳化硅籽晶的所述石墨盖施加第一设定压力并加热至第一设定温度，使所述有机胶层固化为粘接石墨层，其中，所述第一设定温度低于金刚石发生石墨相变的温度。
2.根据权利要求1所述的碳化硅籽晶与石墨盖的固定方法，其特征在于，所述在碳化硅籽晶的固定面形成金刚石膜层包括：
将所述碳化硅籽晶置于外延工艺腔室内；
将所述碳化硅籽晶加热至第二设定温度，并向所述外延工艺腔室中通入第一设定流量的氢气和第二设定流量的甲烷，以在所述碳化硅籽晶的固定面形成所述金刚石膜层。
3.根据权利要求1所述的碳化硅籽晶与石墨盖的固定方法，其特征在于，所述对粘接有所述碳化硅籽晶的所述石墨盖施加第一设定压力并加热至第一设定温度包括：
将粘接有所述碳化硅籽晶的所述石墨盖放入真空热压炉内；
所述真空热压炉的施压机构对所述石墨盖施加的压力为所述第一设定压力，将所述石墨盖加热至所述第一设定温度，对所述石墨盖的热压时间为第一设定时长。
4.根据权利要求1或3所述的碳化硅籽晶与石墨盖的固定方法，其特征在于，所述第一设定压力为3000N～10000N，所述第一设定温度700℃～1000℃。
5.根据权利要求2所述的碳化硅籽晶与石墨盖的固定方法，其特征在于，所述第二设定温度900℃～1000℃，所述第一设定流量为100sccm～500sccm，所述第二设定流量为1sccm～10sccm；所述氢气和甲烷的纯度均为5N～9N。
6.根据权利要求3所述的碳化硅籽晶与石墨盖的固定方法，其特征在于，所述第一设定时长为1h～10h。
7.根据权利要求1或2所述的碳化硅籽晶与石墨盖的固定的方法，其特征在于，所述金刚石膜层的厚度小于100um。
8.一种用于碳化硅晶体生长的石墨盖，其特征在于，采用如权利要求1-7任意一项权利要求所述的固定方法获得的粘接有所述碳化硅籽晶的所述石墨盖。
9.一种碳化硅晶体生长的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法采用如权利要求8所述的粘接有所述碳化硅籽晶的所述石墨盖；
将所述碳化硅晶体生长的工艺温度设置为第三设定温度，所述第三设定温度高于所述第一设定温度，以使所述金刚石膜层固化为填充石墨层。
10.根据权利要求9所述的碳化硅晶体的工艺方法，其特征在于，所述第三设定温度大于等于1900℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111674812.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
