[发明专利]磁场传感器、制作工艺及其磁场检测方法在审
| 申请号： | 202111671062.1 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114371431A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 周良;邹泉波;冷群文;丁凯文;赵海轮;张贺存;李刚 | 申请（专利权）人： | 歌尔微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07;G01R33/02;G01R33/00 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 林川靖 |
| 地址： | 266101 山东省青岛市崂*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种磁场传感器、制作工艺及其磁场检测方法，所述磁场检测方法包括以下步骤：制作样本磁场传感器，其中所述样本磁场传感器中的磁感应器件为霍尔棒结构；标定所述样本磁场传感器的霍尔电阻与各分量磁场强度的标准变化曲线；将磁性单元与所述样本磁场传感器集成得到标准磁场传感器；检测所述标准磁场传感器的实测霍尔电阻，根据所述实测霍尔电阻查询所述标准变化曲线，确定所述磁性单元的各实测分量磁场强度。本申请解决了现有技术对微型磁性单元进行高精度三维磁场探测效果差的技术问题，大大提高了对芯片内的微型磁性单元进行三维磁场探测的准确性和精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 传感器 制作 工艺 及其 检测 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于歌尔微电子股份有限公司，未经歌尔微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111671062.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
