[发明专利]一种钴镍锰硫化物-银纳米线-石墨烯复合电极材料及其制备方法有效
申请号: | 202111668381.7 | 申请日: | 2021-12-31 |
公开(公告)号: | CN114551118B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 刘玉荣;胡荣;牛绍宇;金容 | 申请(专利权)人: | 重庆文理学院 |
主分类号: | H01G11/86 | 分类号: | H01G11/86;H01G11/28;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/36 |
代理公司: | 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 | 代理人: | 王翔 |
地址: | 402160 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明涉及一种钴镍锰硫化物‑银纳米线‑石墨烯复合电极材料及其制备方法。所得CoNiMn‑S/Ag NWs/G复合电极材料综合利用石墨烯的双电层电容特性、过渡金属硫化物的赝电容特性、以及银纳米线高比表面积、大长径比、优良导电性和柔韧性等优点,通过石墨烯、过渡金属硫化物和银纳米线的协同增强效应获得高性能的薄膜电极材料。该材料用作超级电容器电极材料时,表现出高的比电容、良好的倍率性能、低的传输阻力、优异的循环稳定性能,在超级电容器领域具有巨大的应用潜力。 | ||
搜索关键词: | 一种 钴镍锰 硫化物 纳米 石墨 复合 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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