[发明专利]一种增加光二次吸收的MWT组件的制造、封装方法在审
| 申请号： | 202111658372.X | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114005909A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王伟;路忠林;张凤鸣;季丽;刘锐;陈伟;徐建华 | 申请（专利权）人： | 南京日托光伏新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 徐晓鹭 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种增加光二次吸收的MWT组件及其制造、封装方法，在现有MWT的基础上，电池片正面图形保持原先的设计，电池背面采用铝栅线的形式代替目前的全铝背场设计；适配组件端单玻搭配高反背板，能够增加光的二次吸收，提高了光的利用率，有效提高组件综合发电效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 二次 吸收 mwt 组件 制造 封装 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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