[发明专利]一种增加光二次吸收的MWT组件的制造、封装方法

权利要求书

1.一种增加光二次吸收的MWT组件的制造方法，包括MWT电池，其特征在于，所述MWT电池包括硅片，该硅片的背面覆有蓝膜，且该硅片的背面等间距开有铝栅线槽以及圆环，所述铝栅线槽内对应设有呈平行分布的栅线以及呈交错分布的辅助线，所述栅线、辅助线与所述圆环连接；

制造所述MWT电池包括以下步骤：

步骤1，激光打孔：利用激光的热效应在硅片上开孔；

步骤2，制绒：通过双氧水溶液、氢氧化钠或氢氧化钾溶液、氢氟酸与盐酸混合溶液依次对硅片表面进行清洗；

步骤3，扩散：在750~850摄氏度的扩散炉中通入三氯氧磷、氧气、氮气在硅片表面制PN结；

步骤4，激光SE：利用激光，使金属化区域重掺杂；

步骤5，碱抛：利用KOH使背面抛的更光滑；

步骤6，退火：将硅片背靠背置于石英舟里，在氧化炉中通入氧气、氮气，表面生产二氧化硅膜；

步骤7，背钝化：硅片背面镀氧化铝沉积，提高长波吸收；

步骤8，镀膜：正背膜镀氮化硅，降低反射与钝化；

步骤9，背面激光开槽：利用激光在硅片背面刻线，刻线区域不包括贯穿孔隔离槽和背电极；

步骤10，丝网印刷：对硅片依次进行背电极、贯穿孔电极、背场和正电极银栅线印刷，制成增加光二次吸收的MWT电池；

步骤11，对步骤10制成的MWT电池进行测试。

2.根据权利要求1所述的增加光二次吸收的MWT组件的制造方法，其特征在于，所述丝网印刷采用抓点方式，将正负电极点孔的位置固定不变，在孔位置边缘位置加密辅助线印刷。

3.根据权利要求2所述的增加光二次吸收的MWT组件的制造方法，其特征在于，所述步骤11的测试采用双面测试探针排，在测试机下增加黑色背板。

4.根据权利要求3所述的增加光二次吸收的MWT组件的封装方法，其特征在于，对所述制成的增加光二次吸收的MWT电池进行封装，包括以下步骤：

S1，铺设集成背板，用于组件的封装，所述集成背板采用高反射率材料；

S2，在所述背板上印刷导电胶；

S3，铺设GPS馈线，所述GPS采用高反射率材料；

S4，对电池片进行检测，检测合格后在导电胶上铺设电池片，使得电池片与导电胶之间形成通路；

S5，在电池片上铺设EVA，并在所述EVA上铺设玻璃，通过融化EVA以固定电池片和玻璃，制成电池组件；

S6，对电池组件进行层压和削边，焊接电池片之间引线；

S7，对电池组件进行EL测试，测试合格的组件进入S8，测试不合格组件进行不良分类，根据不良标准，进行对应的降级处理；

S8，所述S7测试合格的电池组件进行装框，制成双面单玻组件。

5.根据权利要求4所述的增加光二次吸收的MWT组件的封装方法，其特征在于，所述高反射率材料为反射填料二氧化碳增加至3%至5%的材料。

6.根据权利要求5所述的增加光二次吸收的MWT组件的封装方法，其特征在于，所述EL测试为给电池片组件通反向电压，通过专用相机拍摄组件图片，检测电池片隐裂问题、PID以及二极管的导通情况。