[发明专利]一种半导体加工设备及其反应腔室、工艺管路穿腔模块在审
申请号: | 202111655834.2 | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN114318300A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 谈太德;张建 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李海建 |
地址: | 110170 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体加工设备及其反应腔室、工艺管路穿腔模块,该半导体工艺管路穿腔模块包括模块本体及温控系统,模块本体设置有汽化通道;温控系统包括温度调节装置以及测控装置,温度调节装置设置于模块本体,测控装置设置于模块本体且测控装置与温度调节装置通信连接,测控装置用于检测模块本体的温度并据此检测信息控制温度调节装置;该半导体工艺管路穿腔模块采用独立模块化设计,其可拆卸地设置于反应腔室上,可以更换不同配置的半导体工艺管路穿腔模块,或者对半导体工艺管路穿腔模块进行改装,增减温控系统,形成可选配设计,提高装置的灵活性,便于使用,并且可以对模块本体温度进行精确控制,避免出现工艺气体液化的现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 加工 设备 及其 反应 工艺 管路 模块 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的