[发明专利]一种半导体加工设备及其反应腔室、工艺管路穿腔模块

权利要求书

1.一种半导体工艺管路穿腔模块，其特征在于，包括：

模块本体，所述模块本体设置有汽化通道(6)；

温控系统，所述温控系统包括温度调节装置以及测控装置，所述温度调节装置设置于所述模块本体，用于调节所述模块本体的温度，所述测控装置设置于所述模块本体且所述测控装置与所述温度调节装置通信连接，所述测控装置用于检测所述模块本体的温度并控制所述温度调节装置的启停或控制所述温度调节装置的功率。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺管路穿腔模块，其特征在于，所述模块本体包括盖板(2)以及腔体(4)，所述盖板(2)与所述腔体(4)可拆卸密封连接，所述盖板(2)和/或所述腔体(4)设置有所述汽化通道(6)，所述盖板(2)与所述腔体(4)这两者中的至少一者设置有所述温控系统。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺管路穿腔模块，其特征在于，所述盖板(2)与所述腔体(4)之间设置有至少一道耐高温密封圈(3)，所述耐高温密封圈(3)环绕所述汽化通道(6)设置。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体工艺管路穿腔模块，其特征在于，所述温控系统的温度调节装置包括加热装置和/或冷却装置，所述加热装置为加热片(1)、加热棒(5)以及换热介质循环装置这三者中的一者或至少两者的组合，所述冷却装置包括风冷装置、相变冷却装置以及换热介质循环装置这三者中的一者或至少两者的组合。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺管路穿腔模块，其特征在于，所述温度调节装置的所述加热装置包括加热片(1)，所述加热片(1)设置于所述模块本体的外表面。

6.根据权利要求4所述的半导体工艺管路穿腔模块，其特征在于，所述温度调节装置的所述加热装置包括加热棒(5)，所述加热棒(5)设置于所述模块本体内。

7.根据权利要求4所述的半导体工艺管路穿腔模块，其特征在于，所述换热介质循环装置的散热端或吸热端设置于所述模块本体外且与所述模块本体的外壁贴合设置。

8.根据权利要求1-3及5-7任意一项所述的半导体工艺管路穿腔模块，其特征在于，所述测控装置的检测探头(8)设置于所述模块本体内且位于所述温度调节装置与所述汽化通道(6)之间。

9.根据权利要求1-3及5-7任意一项所述的半导体工艺管路穿腔模块，其特征在于，还包括保温层，所述保温层包裹于所述模块本体外。

10.根据权利要求1-3及5-7任意一项所述的半导体工艺管路穿腔模块，其特征在于，所述模块本体采用铝材质制成。

11.一种半导体反应腔室，其特征在于，包括：

腔室本体；

半导体工艺管路穿腔模块，所述半导体工艺管路穿腔模块为如权利要求1-10任意一项所述的半导体工艺管路穿腔模块，所述半导体工艺管路穿腔模块与所述腔室本体可拆卸密封连接。

12.一种半导体加工设备，其特征在于，包括如权利要求11所述的半导体反应腔室。