[发明专利]双面雪崩光电二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111649722.6 申请日: 2021-12-29
公开(公告)号: CN114068754A 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 康晓旭;陈寿面 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
主分类号: H01L31/107 分类号: H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘笑;黄健
地址: 201210 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请提供一种双面雪崩光电二极管及其制备方法,包括第一类型衬底,第一类型衬底具有第一表面、第二表面和中心区,第一PN结和第二PN结间隔分布于中心区中,第一PN结位于中心区的靠近第一表面的一侧,第二PN结位于中心区的靠近第二表面的一侧,第一PN结和第二PN结均包括电性连接的第一类型区和第二类型区;第一类型电连接部和第二类型电连接部均靠近第一类型衬底的表面;第一类型连接部电性连接第一类型区和第一类型电连接部,第二类型连接部电性连接第二类型区和第二类型电连接部;防反射层覆盖第一表面,并形成光入射口;反射层至少覆盖位于中心区的第二表面。本申请能够增大耗尽区的厚度,提高入射光的吸收效率。
搜索关键词: 双面 雪崩 光电二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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