[发明专利]碳化硅晶片缺陷密度统计方法及统计装置在审
| 申请号： | 202111648036.7 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN116413270A | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 周维;崔孟华 | 申请（专利权）人： | 惠州比亚迪电池有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/88 | 分类号： | G01N21/88;G01N21/95 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陈潇潇 |
| 地址： | 516083*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅晶片缺陷密度统计方法及统计装置，所述统计方法包括：获取腐蚀处理后的碳化硅晶片的晶片图像；将晶片图像划分为多个单元格；识别每一单元格的缺陷密度，包括：确定该单元格内每一腐蚀坑的腐蚀坑面积和腐蚀坑离心率；根据腐蚀坑面积和腐蚀坑离心率确定缺陷种类，以及计算每一缺陷种类的数量，其中，缺陷种类包括：螺旋螺型位错缺陷、螺旋刃位错缺陷和基矢面位错缺陷；根据每一缺陷种类的数量与该单元格的面积的比值确定每一缺陷种类在该单元格的缺陷密度；根据每一缺陷种类在对应单元格的缺陷密度确定碳化硅晶片的缺陷密度分布。通过本发明提供的方法，能够对缺陷识别更加精细，提高缺陷识别的精确度和识别效率。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶片 缺陷 密度 统计 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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