[发明专利]碳化硅晶片缺陷密度统计方法及统计装置

权利要求书

1.一种碳化硅晶片缺陷密度统计方法，其特征在于，所述碳化硅晶片缺陷密度统计方法包括：

获取腐蚀处理后的碳化硅晶片的晶片图像；

将所述晶片图像划分为多个单元格；

识别每一单元格的缺陷密度，包括：

确定该单元格内每一腐蚀坑的腐蚀坑面积和腐蚀坑离心率；

根据所述腐蚀坑面积和所述腐蚀坑离心率确定缺陷种类，以及计算每一缺陷种类的数量，其中，所述缺陷种类包括：螺旋螺型位错缺陷、螺旋刃位错缺陷和基矢面位错缺陷；

根据每一缺陷种类的数量与该单元格的面积的比值确定每一缺陷种类在该单元格的缺陷密度；

根据每一缺陷种类在对应单元格的缺陷密度确定所述碳化硅晶片的缺陷密度分布。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片缺陷密度统计方法，其特征在于，根据所述腐蚀坑面积和所述腐蚀坑离心率确定缺陷种类，以及计算每一缺陷种类的数量，包括：

识别腐蚀坑面积介于第一面积范围的腐蚀坑的缺陷种类为螺旋螺型位错缺陷；

计算所述螺旋螺型位错缺陷的数量。

3.根据权利要求2所述的碳化硅晶片缺陷密度统计方法，其特征在于，根据所述腐蚀坑面积和所述腐蚀坑离心率确定缺陷种类，以及计算每一缺陷种类的数量，包括：

识别腐蚀坑面积大于所述第一面积范围的最大值的腐蚀坑为叠加腐蚀坑，以及识别腐蚀坑面积介于第二面积范围且腐蚀坑离心率小于设定离心率的腐蚀坑为独立腐蚀坑，识别所述叠加腐蚀坑和所述独立腐蚀坑的缺陷种类为螺旋刃位错缺陷；

计算所述叠加腐蚀坑内的螺旋刃位错缺陷的第一数量，以及计算所述独立腐蚀坑的第二数量，其中所述第二面积范围的最大值小于等于所述第一面积范围的最小值；

将所述第一数量与第二数量之和作为该单元格的螺旋刃位错缺陷的数量。

4.根据权利要求3所述的碳化硅晶片缺陷密度统计方法，其特征在于，通过以下方式计算所述叠加腐蚀坑内的螺旋刃位错缺陷的第一数量：

其中，m为叠加腐蚀坑内的螺旋刃位错缺陷的第一数量，q为叠加腐蚀坑的数量，S₁和S₂为第二面积范围的边界值，p为常数，S_i为叠加腐蚀坑的面积。

5.根据权利要求3所述的碳化硅晶片缺陷密度统计方法，其特征在于，根据所述腐蚀坑面积和所述腐蚀坑离心率确定缺陷种类，以及计算每一缺陷种类的数量，包括：

识别腐蚀坑面积介于第三面积范围且腐蚀坑离心率大于等于所述设定离心率的腐蚀坑的缺陷种类为基矢面位错缺陷，其中，所述第二面积范围的最小值大于等于所述第三面积范围的最小值，且所述第二面积范围的最大值和所述第三面积范围的最大值相同；

计算所述基矢面位错缺陷的数量。

6.一种碳化硅晶片缺陷密度统计装置，其特征在于，所述碳化硅缺陷密度统计装置包括：

获取单元，用于获取腐蚀处理后的碳化硅晶片的晶片图像；

划分单元，用于将所述晶片图像划分为多个单元格；

识别单元，用于识别每一单元格的缺陷密度，包括：第一确定单元，用于确定该单元格内每一腐蚀坑的腐蚀坑面积和腐蚀坑离心率；第二确定单元，用于根据所述腐蚀坑面积和所述腐蚀坑离心率确定缺陷种类，以及计算每一缺陷种类的数量，其中，所述缺陷种类包括：螺旋螺型位错缺陷、螺旋刃位错缺陷和基矢面位错缺陷；第三确定单元，用于根据每一缺陷种类的数量与该单元格的面积的比值确定每一缺陷种类在该单元格的缺陷密度；

缺陷密度分布确定单元，用于根据每一缺陷种类在对应单元格的缺陷密度确定所述碳化硅晶片的缺陷密度分布。

7.根据权利要求6所述的碳化硅晶片缺陷密度统计装置，其特征在于，所述第二确定单元具体用于：

识别腐蚀坑面积介于第一面积范围的腐蚀坑的缺陷种类为螺旋螺型位错缺陷；

计算所述螺旋螺型位错缺陷的数量。