[发明专利]一种IBC太阳能电池及其制备方法

摘要

本申请公开了一种IBC太阳能电池，包括半导体基底，在半导体基底的第一表面的部分区域上具有第一掺杂层，在半导体基底的内部具有第二掺杂区，第二掺杂区靠近未被第一掺杂层覆盖的第一表面；在第一掺杂层背离半导体基底的一侧表面依次设置有第一膜层和第二膜层，且第一膜层以及第二膜层从第一掺杂层的表面延伸至其侧面，并继续延且伸覆盖未覆盖第一掺杂层的半导体基底的第一表面；第一掺杂层与第二掺杂区的导电类型相反；第一膜层为非掺杂的钝化层，第二膜层为含有掺杂元素的介质层。本申请还提供一种IBC太阳能电池的制备方法。本申请提供的IBC太阳能电池，在第二膜层下方设置第一膜层，可以提高钝化效果，保证电连接的可靠性。