[发明专利]一种IBC太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种IBC太阳能电池，其特征在于，包括半导体基底，在所述半导体基底的第一表面的部分区域上具有第一掺杂层，在半导体基底的内部具有第二掺杂区，所述第二掺杂区靠近未被第一掺杂层覆盖的第一表面；

在所述第一掺杂层背离所述半导体基底的一侧表面具有第二膜层，且所述第二膜层从所述第一掺杂层的表面延伸至其侧面，并继续延伸覆盖未被第一掺杂层覆盖的半导体基底的第一表面；

所述第一掺杂层与所述第二掺杂区的导电类型相反；

所述第二膜层为含有掺杂元素的介质层。

2.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层靠近所述半导体基底的一侧表面的宽度小于等于所述第一掺杂层远离所述半导体基底的一侧表面的宽度。

3.根据权利要求2所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层靠近所述第二掺杂区的侧面垂直于所述半导体基底。

4.根据权利要求2所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层靠近所述第二掺杂区的侧面为底切结构。

5.根据权利要求4所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述底切结构选自向所述第一掺杂层内凹陷的弧形状结构、向所述第一掺杂层内凹陷的阶梯状结构、与所述未覆盖所述第一掺杂层的半导体基底的第一表面呈锐角的斜面结构中的一种或多种。

6.根据权利要求1-5任一项所述的IBC太阳能电池，其特征在于，位于所述第一掺杂层靠近所述第二掺杂区的侧面处的第二膜层与该侧面共形。

7.根据权利要求1-5任一项所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第二膜层中的掺杂元素与所述第二掺杂区中的掺杂元素相同。

8.根据权利要求1-7任一项所述的IBC太阳能电池，其特征在于，还包括第一膜层，所述第一膜层与所述第二膜层层叠，且所述第一膜层位于所述第二膜层与所述第一掺杂层以及半导体基底第一表面之间。

9.根据权利要求8所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第一膜层与所述第二膜层共形；

所述第一膜层为非掺杂的钝化层。

10.根据权利要求1-9任一项所述的IBC太阳能电池，其特征在于，还包括第一电极和第二电极，所述第一电极穿过所述第二膜层或层叠设置的第二膜层和第一膜层与所述第一掺杂层接触，所述第二电极穿过所述第二膜层或层叠设置的第二膜层和第一膜层与所述第二掺杂区接触。

11.根据权利要求1-10任一项所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂区延伸至底切结构的下方。

12.一种IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供半导体基底；

在所述半导体基底的第一表面形成第一掺杂层；

将所述第一掺杂层进行图形化，从而保留部分第一掺杂层；

在所述第一掺杂层背离所述半导体基底的一侧表面，形成覆盖所述第一掺杂层以及所述半导体基底未覆盖第一掺杂层的第一表面的第二膜层；

对位于所述半导体基底未覆盖第一掺杂层上的第二膜层进行加热，使得第二膜层中的掺杂元素至少部分进入所述半导体基底内，从而在所述半导体基体内靠近所述第二膜层的一侧内形成第二掺杂区；

所述第一掺杂层与所述第二掺杂区的导电类型相反；

所述第二膜层为含有掺杂元素的介质层。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，在所述第一掺杂层背离所述半导体基底的一侧表面上形成辅助层，然后将部分辅助层以及第一掺杂层刻蚀掉，从而完成图形化，只留下部分第一掺杂层。