[发明专利]雪崩光电二极管及其制备方法在审
申请号: | 202111645424.X | 申请日: | 2021-12-29 |
公开(公告)号: | CN114300567A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 康晓旭;陈寿面 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘笑;刘芳 |
地址: | 201210 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种雪崩光电二极管及其制备方法,雪崩光电二极管的第一类型衬底具有第一表面、第二表面和中心区;PN结形成于中心区中,PN结包括电性连接的第一类型区和第二类型区;第一类型电连接部、第二类型电连接部和第二类型电阻均形成于第一类型衬底中,且均位于第一类型衬底的沿厚度方向的表面;第一类型区和第二类型电阻均与第一类型电连接部电性连接,第二类型区与第二类型电连接部电性连接,第一类型电连接部和第二类型电连接部电性隔离;遮光层覆盖位于中心区的外周的第二表面,遮光层对应中心区处形成光入射口,反射层至少覆盖位于中心区的第一表面。本申请能够适时地将雪崩效应时持续增大的反向电流导出,提高雪崩光电二极管的使用可靠性。 | ||
搜索关键词: | 雪崩 光电二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的