[发明专利]雪崩光电二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，包括第一类型衬底、PN结、第一类型电连接部、第二类型电连接部、第二类型电阻、遮光层、光入射口和反射层；

所述第一类型衬底具有第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面位于所述第一类型衬底的厚度方向的相对两侧，所述第一类型衬底具有沿所述第一类型衬底的厚度方向延伸的中心区；

所述PN结形成于所述中心区中，所述PN结包括电性连接的第一类型区和第二类型区；

所述第一类型电连接部、所述第二类型电连接部和所述第二类型电阻均形成于所述第一类型衬底中，且均位于所述第一类型衬底的沿厚度方向的表面；

所述第一类型区和所述第二类型电阻均与所述第一类型电连接部电性连接，所述第二类型区与所述第二类型电连接部电性连接，所述第一类型电连接部和所述第二类型电连接部电性隔离；

所述遮光层覆盖位于所述中心区的外周的所述第二表面，所述遮光层对应所述中心区处形成所述光入射口，所述反射层至少覆盖位于所述中心区的所述第一表面。

2.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述第一类型衬底中设置有第二导电类型的低浓度掺杂区，构成所述第二类型电阻；

和/或，所述第二类型电阻的图形包括环形或蛇形的连续图形。

3.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述第一类型电连接部、所述第二类型电连接部和所述第二类型电阻均位于所述第一类型衬底的靠近所述第一表面的一侧；

所述第一类型电连接部和所述第二类型电连接部均为围绕所述中心区的环形结构，所述第一类型电连接部和所述第二类型电阻均位于所述第二类型电连接部的远离所述中心区的一侧。

4.根据权利要求3所述的雪崩光电二极管，其特征在于，还包括形成于所述第一类型衬底中的第一类型连接部和第二类型连接部；

所述第一类型连接部与所述第一类型区和所述第一类型电连接部均电性连接，所述第二类型连接部与所述第二类型区和所述第二类型电连接部均电性连接。

5.根据权利要求4所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述PN结包括间隔分布的第一PN结和第二PN结；

所述第一PN结位于所述第一类型衬底的靠近所述第一表面的一侧，且所述第一PN结的第二类型区位于所述第一PN结的靠近所述第一表面的一侧；

所述第二PN结位于所述第一类型衬底的靠近所述第二表面的一侧，且所述第二PN结的第二类型区位于所述第二PN结的靠近所述第二表面的一侧；

所述第一类型连接部和所述第二类型连接部均围绕所述中心区的至少部分外周，且至少部分所述第一类型连接部位于所述第二类型连接部的远离所述中心区的一侧。

6.根据权利要求5所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述第一类型连接部包括第一整体围绕部和形成于所述第一整体围绕部上的轴向开口，所述第二类型连接部包括第一连接部、第二连接部和轴向连接部；

所述第一整体围绕部围绕所述中心区的两个所述PN结之间的所述第一类型衬底的至少部分厚度的外周，且所述第一整体围绕部与所述第一类型衬底电性连接，所述轴向开口沿所述第一类型衬底的厚度方向贯穿所述第一整体围绕部；

所述第一连接部至少围绕位于所述第一PN结处的所述中心区的外周，且所述第一连接部与所述第一PN结的所述第二类型区电性连接，所述第二连接部至少围绕于位于所述第二PN结处的所述中心区的外周，且所述第二连接部与所述第二PN结的所述第二类型区电性连接，所述轴向连接部位于所述轴向开口中，并电性连接所述第一连接部和所述第二连接部；

或，

所述第二类型连接部包括第二整体围绕部和形成于所述第二整体围绕部上的径向开口，所述第一类型连接部包括环形部和径向连接部；

所述第二整体围绕部围绕所述中心区的外周，且所述第二整体围绕部与所述第一PN结的所述第二类型区和所述第二PN结的所述第二类型区均电性连接，所述径向开口连通位于所述中心区的两个所述PN结之间的所述第一类型衬底和所述第二整体围绕部的外周；

所述环形部围绕位于所述径向开口处的所述第二整体围绕部的外周，所述径向连接部位于所述径向开口中，并电性连接所述中心区的两个PN结之间的所述第一类型衬底和所述环形部。