[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111640340.7 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN116437670A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 章纬;杜青松 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/20 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底以及位于衬底内的第一掺杂区以及第二掺杂区；第一选择晶体管以及第二选择晶体管；导电层，导电层位于第一掺杂区与第二掺杂区之间；阻变介质层，导电层、第一掺杂区以及与第一掺杂区正对的阻变介质层构成第一可变电阻，导电层、第二掺杂区以及与第二掺杂区正对的阻变介质层构成第二可变电阻；隔离介质层，隔离介质层位于导电层与衬底之间。本公开实施例有利于提高RRAM存储器的存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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