[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底以及位于所述衬底内的第一掺杂区以及第二掺杂区；

第一选择晶体管以及第二选择晶体管；

导电层，所述导电层位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间；

阻变介质层，所述导电层、所述第一掺杂区以及与所述第一掺杂区正对的所述阻变介质层构成第一可变电阻，所述导电层、所述第二掺杂区以及与所述第二掺杂区正对的所述阻变介质层构成第二可变电阻；

隔离介质层，所述隔离介质层位于所述导电层与所述衬底之间。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述第一选择晶体管指向所述导电层的方向上，所述导电层到所述第一选择晶体管的距离等于所述导电层到所述第二选择晶体管的距离。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底还包括：阱层，所述阱层位于所述第一掺杂区底部以及所述第二掺杂区底部，所述阱层的掺杂离子类型与所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区的掺杂离子类型不同，且部分所述导电层还位于所述阱层中，所述隔离介质层位于所述阱层与所述导电层之间。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离介质层与所述阻变介质层为一体成型膜层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电层顶面低于所述第一掺杂区顶面以及所述第二掺杂区顶面，所述半导体结构还包括：

盖层，所述盖层位于所述导电层顶面且位于所述衬底内，其中，所述阻变介质层还位于所述盖层朝向所述第一掺杂区的侧面以及朝向所述第二掺杂区的侧面。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，朝向所述第一掺杂区的所述阻变介质层与所述第一掺杂区相接触，朝向所述第二掺杂区的所述阻变介质层与所述第二掺杂区相接触。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

氧化层，所述氧化层位于所述阻变介质层与所述第一掺杂区之间，且还位于所述阻变介质层与所述第二掺杂区之间。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一选择晶体管以及所述第二选择晶体管均包括：

字线，所述字线位于所述衬底内，所述字线与所述导电层处于同层且材料相同。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一选择晶体管以及所述第二选择晶体管均还包括：

栅介质层，所述栅介质层位于所述字线侧壁以及底部，且所述栅介质层与所述阻变介质层的材料相同。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

两个第三掺杂区，所述第三掺杂区位于所述衬底内，且一所述第三掺杂区为所述第一选择晶体管的源极或者漏极中的一者，另一所述第三掺杂区为第二选择晶体管的源极或者漏极中的另一者；

电连接结构，所述电连接结构与所述第三掺杂区相接触。

11.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底内形成第一掺杂区以及第二掺杂区；

在所述衬底内形成第一选择晶体管以及第二选择晶体管；

形成导电层，所述导电层位于所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区之间；

形成阻变介质层，所述导电层、所述第一掺杂区以及与所述第一掺杂区正对的所述阻变介质层构成第一可变电阻，所述导电层、所述第二掺杂区以及与所述第二掺杂区正对的所述阻变介质层构成第二可变电阻；

形成隔离介质层，所述隔离介质层位于所述导电层与所述衬底之间。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述衬底内形成所述第一选择晶体管以及所述第二选择晶体管的字线，且在形成所述字线的工艺步骤中，形成所述导电层。