[发明专利]一种使用SIC二极管的IGBT功率模块及其制造方法在审
| 申请号： | 202111631547.8 | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114284261A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈佳旅;王海强;袁秉荣;何昌 | 申请（专利权）人： | 深圳市美浦森半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L29/739;H01L29/872;H01L21/50 |
| 代理公司： | 东莞市卓易专利代理事务所(普通合伙) 44777 | 代理人： | 陈海祥 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区招*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种使用SIC二极管的IGBT功率模块及其制造方法，包括封装模块、IGBT单管及二极管，所述二极管为SIC二极管，所述IGBT单管的漏极与所述SIC二级管的正极固定在封装模块的基板上；所述IGBT单管的源极与所述SIC二级管的负极连接到封装模块的源极管脚上；所述IGBT单管的栅极连接到封装模块的栅极管脚上。采用SIC二极管与IGBT单管进行封装制成的IGBT功率模块，使得IGBT功率模块温度升高后的可靠性和性能指标明显提高；宽禁带提高了工作温度和可靠性；高击穿场强提高了耐压，减小了尺寸；高热导率提高了功率密度；强的抗辐射能力，更适合在外太空环境中使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 sic 二极管 igbt 功率 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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