[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 202111628273.7 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114256078A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 沈奕;陈玉云;吕岳敏;余荣;杨秋强;陈远明 | 申请（专利权）人： | 汕头超声显示器技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 汕头市潮睿专利事务有限公司 44230 | 代理人： | 陈烨彬;卢梓雄 |
| 地址： | 515000 广东省汕头*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，包括如下步骤：（1）在基板上沉积金属层，并利用金属蚀刻液对其进行湿法刻蚀，形成栅极；（2）在基板和栅极的上表面沉积绝缘层；（3）在绝缘层上表面沉积氧化物半导体层形成有源层；（4）在有源层和绝缘层的上表面涂布光敏树脂涂层，并进行干燥、预固化、曝光显影、固化后形成具有源极孔、漏极孔的保护层；利用等离子体或紫外光照射对沟道部位两端进行导体化改性，形成有源层的接触部位；（5）在保护层的上表面上覆盖一层导体层，导体层延伸或填充到源极孔、漏极孔中分别形成源极、漏极。这种制造方法能够减少制作过程中对有源层造成不良影响，使得制造出的氧化物薄膜晶体管具有较好的导电一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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