[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，包括如下步骤：（1）在基板上沉积一层金属层，并利用金属蚀刻液对其进行湿法刻蚀，形成栅极；（2）在基板和栅极的上表面沉积一层绝缘层，使栅极被绝缘层所覆盖；（3）在绝缘层的上表面沉积一层氧化物半导体层形成有源层，并利用蚀刻液对其进行湿法刻蚀，形成有源层的图案；其特征在于：还包括（4）在有源层和绝缘层的上表面涂布一层光敏树脂涂层，并进行干燥、预固化、曝光显影、固化后形成具有源极孔、漏极孔的保护层，有源层的沟道部位被保护层所覆盖，源极孔、漏极孔分别处于有源层的沟道部位的两端；并利用等离子体或紫外光照射对沟道部位两端进行导体化改性，形成有源层的接触部位；（5）在保护层的上表面上覆盖一层导体层，导体层延伸或填充到源极孔、漏极孔中分别形成源极、漏极，并将导体层图形化形成源极的外引部、漏极的外引部，源极的源极基部、源极的漏极基部与有源层的接触部位形成电接触。

2.根据权利要求1所述的一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述步骤（5）中，所述导体层为金属层，金属层沉积在所述保护层上，并利用金属蚀刻液对导体层进行湿法刻蚀，形成源极和漏极；金属层沿着所述源极孔、漏极孔的侧壁往下延伸到所述源极孔、漏极孔的底部并与所述有源层的接触部位形成接触，源极的外引部、漏极的外引部均由金属层图形化而成。

3.根据权利要求2所述的一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述源极孔、漏极孔的横截面面积自其上端开口至下端开口逐渐变小，源极孔、漏极孔的侧壁的坡度角为30°～60°。

4.根据权利要求1所述的一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述导体层为纳米导电材料层，纳米导电材料层填充到源极孔、漏极孔中分别形成源极、漏极。

5.根据权利要求4所述的一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述步骤（4）中，形成的所述保护层的上表面具有与所述源极孔连通的第一沟槽和与所述源极孔连通的第二沟槽；所述步骤（5）中，所述纳米导电材料层还填充到第一沟槽、第二沟槽中分别形成源极的外引部、漏极的外引部。

6.根据权利要求1-5任一项所述的一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述步骤（4）中，在形成具有源极孔、漏极孔的保护层后，利用等离子体或紫外光照射对源极孔、漏极孔所对应的有源层进行导体化改性，形成有源层的接触部位。

7.根据权利要求1-5任一项所述的一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述步骤（4）中，所述光敏树脂涂层由正性光敏树脂构成；在曝光显影过程中，先采用带有开口图形的掩膜板进行曝光，紫外光在穿过掩膜板后透过光敏树脂涂层的相应部位到达有源层的沟道部位两端，使光敏树脂涂层被照射部位的正性光敏树脂发生分解，同时完成对有源层的接触部位的导体化改性，再通过显影工艺去掉光敏树脂涂层上发生分解的正性光敏树脂形成源极孔、漏极孔，并且在100℃～250℃的温度下加热，使得光敏树脂涂层完全固化，形成保护层。

8.根据权利要求1-5任一项所述的一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述步骤（1）中，基板为玻璃基板；所述步骤（4）中，光敏树脂涂层由正性光敏树脂构成；进行曝光显影时，以形成栅极的金属层上的图案作为掩膜进行背面曝光，紫外光线透过玻璃基板后从该金属层的缝隙、绝缘层穿过，最终照射到有源层的接触部位和光敏树脂涂层的相应部位上，完成对有源层的接触部位的导体化改性，同时使光敏树脂涂层被照射部位的正性光敏树脂发生分解，再通过显影工艺去掉光敏树脂涂层上发生分解的正性光敏树脂形成源极孔、漏极孔，露出有源层的接触部位，并且在100℃～250℃的温度下加热，使得光敏树脂涂层完全固化，形成保护层。

9.根据权利要求8所述的一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述栅极的两侧设有用于遮光的遮光层；进行曝光显影时，利用形成栅极的金属层上的图案配合其两侧的遮光层作为掩膜进行背面曝光。

10.根据权利要求1所述的一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述步骤（3）中，采用的氧化物半导体层为IGZO层；在形成有源层的图案之后，对有源层进行退火处理；

所述步骤（4）中形成的保护层的厚度为1μm～2μm。