[发明专利]半导体的酸性镀铜工艺整平剂的分析方法在审
| 申请号： | 202111623680.9 | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114858897A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 丁惠萍 | 申请（专利权）人： | 麦德美科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/48 | 分类号： | G01N27/48;G01N27/416 |
| 代理公司： | 广州博联知识产权代理有限公司 44663 | 代理人： | 孙倩倩 |
| 地址： | 215126 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体的酸性镀铜工艺整平剂的分析方法，包括：配置标准溶液：向基础溶液中添加2mL的光亮剂原液SC R1、0.6mL的湿润剂原液SC R2A以及0.6mL的整平剂原液SC R2B得到混合溶液，将所述混合溶液定容成100ml，得到标准样品；配制电解液：所述电解液包括40g/L铜金属、140g/L的硫酸和50mg/L氯离子、40mL/L SC R1和20mL/L SC R2A；制作响应曲线：将所述电解液放置在所述分析仪的电极下方，将所述标准溶液放置到所述分析仪的自动进样口，启动分析仪，得到标准曲线和校正因子；样品分析：将所述电解液放置在所述分析仪的电极下方，将样品放置到所述分析仪的自动进样口，启动分析仪进行分析，同时记录电位图。其分析结果稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 酸性 镀铜 工艺 整平剂 分析 方法 | ||
【主权项】：
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