[发明专利]半导体的酸性镀铜工艺整平剂的分析方法

权利要求书

1.一种半导体的酸性镀铜工艺整平剂的分析方法，其特征在于，包括以下步骤：

配置标准溶液：向基础溶液中添加2mL的光亮剂原液SC R1、0.6mL的湿润剂原液SC R2A以及0.6mL的整平剂原液SC R2B得到混合溶液，将所述混合溶液定容成100ml，得到标准样品；

配制电解液：所述电解液包括40g/L铜金属、140g/L的硫酸和50mg/L氯离子、40mL/L SCR1和20mL/L SC R2A；

制作响应曲线：将所述电解液放置在所述分析仪的电极下方，将所述标准溶液放置到所述分析仪的自动进样口，启动分析仪，得到标准曲线和校正因子；

样品分析：将所述电解液放置在所述分析仪的电极下方，将样品放置到所述分析仪的自动进样口，启动分析仪进行分析，同时记录电位图。

2.如权利要求1所述的半导体的酸性镀铜工艺整平剂的分析方法，其特征在于，制作响应曲线时，每次添加的SC R2B样品量为0.4ml，添加次数12次，曲线起始点为1，得出响应曲线。

3.如权利要求1所述的半导体的酸性镀铜工艺整平剂的分析方法，其特征在于，所述SCR2B为麦德美(422669MICROFAB SC R2-B)。

4.如权利要求1所述的半导体的酸性镀铜工艺整平剂的分析方法，其特征在于，所述SCR1为光亮剂和抑制剂的混合，所述SC R1为麦德美的(421514MICROFAB SC R1)。

5.如权利要求1所述的半导体的酸性镀铜工艺整平剂的分析方法，其特征在于，所述SCR2A为为麦德美(422695MICROFAB SC R2-A)。

6.如权利要求1所述的半导体的酸性镀铜工艺整平剂的分析方法，其特征在于，所述分析仪是循环电路剥离(CVS)分析仪。

7.如权利要求1所述的半导体的酸性镀铜工艺整平剂的分析方法，其特征在于，工作电极是铂金电极，参比电极内液是3M氯化钾溶液，外液为1M硝酸钾溶液，辅助电极是铂电极。

8.如权利要求1所述的半导体的酸性镀铜工艺整平剂的分析方法，其特征在于，分析电压正限值是1-2V。

9.如权利要求1所述的半导体的酸性镀铜工艺整平剂的分析方法，其特征在于，负限值是-0.5-1V。

10.如权利要求1所述的半导体的酸性镀铜工艺整平剂的分析方法，其特征在于，工作电极转速为500-1500转/分钟。